مطالعه وبررسی اثر خواص الکتریکی وفتورسانایی لایه های رسانای شفاف اکسید قلع تهیه شده به روشAPCVD
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 789
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_117
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
Abstract:
دراین تحقیق خواص ساختاری ، الکتریکی و فتورسانایی اکسیدهای شفاف Sno2تهیه شده به روشAPCV در دماهای 033،033 و033 درجه سانتیگراد مورد مطالعه وبررسی قرار گرفت بااستفاده ازپراش اشعهX خواص ساختاری لایه ها مطالعه شد. همچنین اندازه متوسط بلورکها در ابعاد 61 تا 13 نانو متر با استفاده از رابطه دبای شرر به دست آمد . درمطا لعه خاصیت فتورسانایی بیشترین اثر نور - رسانش مربوط به دمای 033 درجهسانتیگراد وکمترین اثر مربوط به دمای 033 درجه سانتیگراد است . این اکسیدهای شفاف دارای ساختاری مناسب جهت استفاده دروسایل اپتوالکترونیک مانند سلول های خورشیدیهستند.
Keywords:
Authors
رضوان حاجی هاشمی
گروه فیزیک دانشگاه پیام نور مشهد،مشهد
محمدمهدی باقری محققی
دانشکده فیزیک دامغان ،دامغان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :