بررسی خواص ساختاری و الکترونی و فیلم لایه ی نازک Fe2CoSi
عنوان مقاله: بررسی خواص ساختاری و الکترونی و فیلم لایه ی نازک Fe2CoSi
شناسه ملی مقاله: ICNE01_154
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
شناسه ملی مقاله: ICNE01_154
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:
بهناز سادات مهردارقائم مقامی - دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش بوچانی - دانشگاه آزاد اسلامی کرمانشاه
سیدمحمد الهی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
زینب راستگوی باوفا
خلاصه مقاله:
بهناز سادات مهردارقائم مقامی - دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش بوچانی - دانشگاه آزاد اسلامی کرمانشاه
سیدمحمد الهی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
زینب راستگوی باوفا
ترکیبات هویسلر درصنعت اسپینترونیک دارای کاربرد هستند اسپینترونیک یا مگنتوالکترونیک عناصرمغناطیسی را با الکترونیک برپایه ی بارپیوند زده و موجب تولید وسایلی با خواص و ویژگیهای جدید شدها ست دو شرط مهم که برای وسایل کاربردی اسپینترونیکی نانومقیاس وجوددارد دمای کوری بالا سازگاری لایه ای نازک نیمه فلز با زیرلایه خود است Fe2CoSi یک ترکیب هویسلر کامل است دراینجا به بررسی خواص ساختاری و الکترونیک این ترکیب پرداختیم و با استفاده ازتقریب GGA منحنی چگالی حالات الکترونیک فیلم لایه نازک Fe2CoSi را رسم کردیم
کلمات کلیدی: اسپینترونیک، فیلم لایه ی نازک Fe2CoSi لایه نازک نیمه فلز GGA
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/193213/