ساختار، ویژگیها وکاربردهایGaN
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 676
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_161
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
Abstract:
کاربرد نیمه هادی ها در زندگی امروزه حقیقتی غیر قابل انکار است .از این میان به دلیل افزایش تقاضا کاربردهای با پهنای باند بالا رو به افزون است.از این رو نیمه رساناهای با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیارمورد توجه طراحان قرار گرفته است.از جمله این کاربردها فرستنده های مایکروویوی ارتباطات ورادار هستند. به نظر می رسدGaN به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد نوید بخش باشد.در این نوشتار به ساختار ،کاربرد وچالش های پیش روی این نیمه هادی پر کاربرد پرداخته شده است
Keywords:
گاف انرژی , تقویت کننده های توانGaN
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :