بررسی تأثیر پیوندهای آویزان و اندازه بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بااستفاده از روش شبهپتانسیل
عنوان مقاله: بررسی تأثیر پیوندهای آویزان و اندازه بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بااستفاده از روش شبهپتانسیل
شناسه ملی مقاله: ICNE01_204
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
شناسه ملی مقاله: ICNE01_204
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:
حمداله صالحی - آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
صغری بهرامی ده توتی - آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
خلاصه مقاله:
حمداله صالحی - آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
صغری بهرامی ده توتی - آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
در این مقاله تأثیرات اندازه و پیوندهای آویزان بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بررسی شده است . محاسبات در چارچوب نظریهی تابعی چگالی و به روش شبه پتانسیل توسط بستهی نرم افزاریEspresso با تقریبLDA انجام شده است . با مقایسهی انرژی تشکیل نانوسیمها، پایداری آنها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهد با افزایش قطر، چگالی پیوندهای آویزان کمتر و پایداری نانوسیمهابیشتر میشود. همچنین مقدار گاف نواری برای حالت توده و نانوسیمها محاسبه شد. در قطرهای کوچک با افزایش گاف مواجه هستیم، اما در قطرهای بزرگتر روندی نزولی در گافنواری دیده میشود و به مقدار گاف حالت توده همگرا میشود
کلمات کلیدی: ایندیوم آرسناید، تابعی چگالی، شبهپتانسیل، نانوسیم
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/193256/