رضا کلامی - دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
سید احمد کتابی - دانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران

در این مقاله، اثر اعمال میدان مغناطیسی عمودی بر خواص الکترونی و ترابردی سه گروه از نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی بررسی شد. نانو نوارهای سیلیسین مورد مطالعه دارای ۵ الی ۷ اتم سیلیکون در عرض می باشند که گاف های نواری متفاوتی دارند. میدان مغناطیسی عمودی با قدرت های ۰/۱، ۰/۲ و ۰/۳ الکترون ولت به نانو نوارها اعمال شد. با اعمال میدان مغناطیسی عمودی، تغییراتی در آرایش الکترونی نانو نوار به وجود آمد، در نتیجه خواص الکترونی و ترابردی نانو نوارها نظیر طیف گسیل، ساختار نواری و مشخصه جریان- ولتاژ تغییر یافت. نتایج نشان داد که اعمال میدان مغناطیسی عمودی به نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی که تحت اختلاف پتانسیل الکتریکی قرار گرفته اند باعث افزایش جریان عبوری می شود. محاسبات با استفاده از تقریب تنگ بست به همراه فرمول بندی تابع گرین غیرتعادلی انجام شد.

سیلیسین, میدان مغناطیسی عمودی, ساختار نواری, طیف گسیل الکترونی, مشخصه جریان- ولتاژ