نانو ترانزیستور های آلی با گیت دی الکتریک هیبریدی پلی استایرن/اکسید هافنیوم
Publish place: 1st National Conference on Physics and its Applications
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,924
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCPHYAPP01_006
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1392
Abstract:
در کار حاضر نانو کامپوزیت های هیبریدی اکسید هافنیوم/ پلی استایرن به روش سل-ژل به عنوان گیت دی الکتریک برای ترانزیستورهای لایه نازک آلی با ولتاژ کم تهیه شده است. در این روش از پلی استایرن، کلراید هافنیوم (HFCl4)، اتانول به عنوان حلال و اسید نیترک استفاده شده است. ویژگی های نانو ساختاری به کمک تکنیک های میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (FTIR)و نرم افزار X-Powder مورد بررسی قرار گرفته است. .نتایج حاصله نشان می دهد که نانو کامپوزیت های هیبریدی پلی استایرن/اکسید هافنیوم قابلیت استفاده به عنوان گیت دی الکتریک را دارند و می توانند در بهبود کارآیی ترانزیستورهای لایه نازک آلی نقش مؤثری ایفا کنند.
Keywords:
Authors
شیدا لطفی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه پردیس دانشگاه مازندران، دانشگاه مازن
علی بهادری
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه پردیس دانشگاه مازندران، دانشگاه مازن
علی اصغر حسینی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه پردیس دانشگاه مازندران، دانشگاه مازن
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :