CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بهبود حسگر گاز سولفید هیدروژن (H۲S) بر پایه لایه های نازک نیمه هادی اکسید فلز (NiO)

عنوان مقاله: بهبود حسگر گاز سولفید هیدروژن (H۲S) بر پایه لایه های نازک نیمه هادی اکسید فلز (NiO)
شناسه ملی مقاله: JR_PSI-23-3_004
منتشر شده در در سال 1402
مشخصات نویسندگان مقاله:

رضیه مهدی شاکر الجراح - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه کوفه، نجف، عراق
نوار رحیم - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه کوفه، نجف، عراق

خلاصه مقاله:
خواص ساختاری و ریخت شناسی لایه های نازک NiO برای بررسی امکان بهره برداری از آن به عنوان یک حسگر گاز مورد مطالعه قرار گرفته است. این لایه های نازک با استفاده از روش تجزیه در اثر حرارت افشانه شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای با استفاده از غلظت های مختلف محلول آبی نیترات نیکل هگزا هیدرات [Ni(NO۳)۲:۶H۲O] به دست آمده است. لایه های تولید شده با استفاده از پراش پرتو ایکس و میکروسکوپ نیروی اتمی مشخصه یابی شدند. بررسی ها نشان داد که نمونه ها یک ساختار مکعبی چند کریستالی با جهت گیری ترجیحی در امتداد صفحه (۱۱۱) دارند. تحلیل توپوگرافی سطح (AFM) نشان می دهد که اندازه دانه ها با افزایش غلظت افزایش می یابد، به گونه ای که میانگین قطر دانه ها از ۰۴/۴۲ تا ۰۶/۱۱۰ نانومتر در غلظت های ۰۱/۰ تا ۱/۰ مولار افزایش می یابد. نتایج سنجش گاز نشان می دهد حساسیت لایه های نیمه هادی اکسید نیکل به گاز سولفید هیدروژن تحت تاثیر اندازه بلورهای در حال رشد و دمای کار است.

کلمات کلیدی:
AFM, حسگر گاز, نیمه هادی اکسید فلزی, دمای عملیاتی, حساسیت

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1965549/