اثر دی اتلین گلیکول (DEG) بر سنتز و پوشش دهی در جای نانو ذرات مگنتیت

نانو ذرات مگنتیت پوشش داده شده با دی اتیلن گلیکول (DEG) به روش هم رسوبی معکوس از نمک های کلریدی آهن دو و سه ظرفیتی با استفاده از محلول قلیایی هیدروکسید سدیم در حضور محلول DEG فرآوری شده است. اثرات شرایط واکنش و مقادیر مختلف عامل پوشش دهنده بر خواص نانو ذرات فرآوری شده با استفاده از مشخصه یابی های XRD و TEM و FT-IR و DLS مورد بررسی قرار گرفته است. با استفاده از نتایج XRD مشخص شده است. که حضور مقادیر کافی از عامل پوشش دهنده بر ترکیب فازی نانو ذرات فرآوری شده تاثیر نخواهد داشت. تصاویر حاصل از TEM نشان داده است که افزایش DEG باعث شکل گیری نانو ذرات کروی مگنتیت با اندازه ی متوسط 30 نانو متر شده است. نتایج FT-IR، جذب شیمیایی عوامل پوشش دهنده بر سطح نانو ذرات مگنتیتن را تایید می کند. تحت شرایط آزمایش، نرخ جوانه زنی و رشد کاهش یافته که به دلیل احاطه ی جوانه های حاصله توسط عوامی پوشش دهنده بوده است. همچنین، میزان تجمع نانو ذرات مگنتیت به دلیل وجو پوشش DEG و ممانعت از تشکیل پیوند هیدروژنی بین نانو ذرات مگنتیت و مولکول های آب کاهش یافته است. از سوی دیگر، افزایش بیش از حد عامل پوشش دهنده اثر نامطلوبی بر ساختار فازی و تجمع نانو ذرات فرآوری شده دارد.

Keywords:

نانو ذرات مگنتیت , هم رسوبی معکوس , دی اتیلن گلیکول , آگلومراسیون