سلول خورشیدی دوپیوندی مدرج مبتنی برموادGaInP/GaAs
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 825
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICREDG03_010
تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1392
Abstract:
دراین مقاله ساختاریک سلول خورشیدی دو پیوندی مبتنی برGaInP/GaAs را مورد مطالعه و شبیه سازی قرار داده ایم و اثرمدرج سازی چگالی ناخالصی را روی ولتاژ ماکزیمم توان خروجی بازده تبدیل و بازده کوانتومی نشان داده ایم نتایج حاصل ازشبیه سازی نشان دهنده ی این هستند که مدرج سازی چگالی ناخالصی درپیوند GaInP علاوه برافزایش بازده تبدیل باعث افزایش بازده کوانتومی نیز میشود پس ازمدرج سازی به بازده تبدیل بیش از25.79درصد و ولتاژ ماکزیمم 2.27v تحت تابشAM0 و به بازده تبدیل 31.57%وولتاژ ماکزیمم 2.5V تحت تابش AM1.5 دست یافته ایم
Keywords:
Authors
محمود نیکوفرد
دانشگاه کاشان
مجتبی پورموسی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
ابوذر اسماعیلی مزیدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
فواد یزدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :