Study on Single Junction GaAs Solar Cell with Optimized Structure, High Radiation Resistance and Graded Doping Concentration

Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,396

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICREDG03_067

تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1392

Abstract:

Damage effects in an experimental single junction (SJ) GaAs solar cell irradiated by energy of 1MeV electrons and with the fluence up to 1016 e/cm2 was investigated by evaluating outputcharacteristics and under AM0 illumination. The electrical properties showed sever degradation due to radiation-induceddefects and over changing fluence levels. We improved the operation o f the SJ GaAs cell by increasing doping level in thedown layer (p-GaAs) and using grading doping concentrationtechnique in the top layer (n-GaAs). These changes caused significant differences between experimental and simulated cell output characteristics. So after optimization our new structure with the least deterioration has been prepared. According to the simulation results, we have created a high radiation resistance SJ GaAs cell by changes in electrical properties.

Keywords:

Single junction GaAs solar cell , Radiation resistance , Graded Doping ,

Authors

Dorna Mortezapour

Islamic Azad University, South Tehran Branch

Mohamadali Mohamadali

Hakim Sabzevari University

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • _ _ _ _ _ Physics Research Section B: Beam ...
  • M. Fathipour, et al., "The Effect of a Graded Band ...
  • A. F. Meftah, et al., "Numerical simulation of the effect ...
  • نمایش کامل مراجع