علی یوسفی - دانشگاه علم و صنعت ایران

این مقاله سلول های خورشیدی 3 تا 5 اتصالی دارای بازدهی بالا را که از لحاظ تجاری در دسترس هستند با سلو لهای پیشرفته سیلیکونی ( (Si بازده بالا در سطوح پنل و سلول فاقد پوشش مقایسه می کند. فناوری هایسلول های خورشیدی در این مقایسه، Si با ضخامت 3 میلی متر و مقاوم در برابر تابش( rad-hard 3-mil )، سلول خورشیدی 2 اتصالی InGaP/GaAs (بر روی Ge ) و سلول خورشیدی 3 اتصالی InGaP/GaAs/Ge خواهند بود که بازدهی beginning-of-life) BOL ) آنها به ترتیب برابر با 17 %، 23 % و 26 % می باشد. دو مدار نمونه متفاوت در نظر گرفته م یشود: مدار geosyncronous) GEO ) و مدارlow-earth) LEO ). شرایط end-of-life) EOL ) برای GEO و LEO یکسان در نظر گرفته شده است. پارامترهای بحرانی آرایه های خورشیدی از قبیل نسبتتوان به جرم ( W/Kg )، نسبت جرم به فضا ( Kg/m2 )، نسبت توان به فضا ( (W/m2 و هزینه EOL نرمال شده ( W/$) برای این فناور یها مقایسه خواهد شد

بازدهی بالا، سلول خورشیدی چند اتصالی، سلول خورشیدی سیلیکونی