پاسخ نوری نانولایه ی دوچهره ی هافنیوم سولفور سلناید با استفاده از حل معادله ی بت- سالپیتر

مطالعه ی حاضر با بهره گیری از تقریب های بس ذره ای و با استفاده از روش تمام الکترونی LAPW با پتانسیل کامل، پاسخ نانولایه ی دوچهره یهافنیوم سولفورسلناید (HfSSe) به باریکه ی نوری را محاسبه و با نتایج متناظر از نانولایه ی هافنیومدی سولفاید ((HfS(۲) مقایسه نموده است.نانولایه ی دوجهره ی مورد مطالعه یک نیم رسانا با گاف الکترونی غیرمستقیم به اندازه ی ۰/۹۳۸eV است. در حالی که نانولایه ی معمولی(HfS(۲ نیم رسانایی با گاف الکترونی ۱/۱۱۴eVمی باشد. از حل معادله ی بت-سالییتر (BSE). ترکیب دوجهره دارای ساختار اکسیتونی قویدر ناحیه ی درون گاف انرژزی الکترونی است. اما ساختار معمولی فاقد ساختار اکسیتونی مقید در این ناحیه است. حل معادله ی BSEپاشند گی طیف های ایتیکی ر در هر دو ساختار در انرژی های ورای گاف الکترونی تعییر می دهد که نشان از اهمیت احتساب برهم کنش های بس ذره ای و جفت شدگی های الکترون- حفره در پاسخ نوری این دسته از مواد است.

Keywords:

نانولایه ی دوچهره ی هافنیوم سولفورسلناید , خواص اپتیکی , تابع دی الکتریک , معادله ی بت- سالپیتر (BSE)