مهدی میرزایی - Islamic Azad university, miyaneh branch

سرامیکهای الکترونیکی بر پایه اکسید روی (بعنوان ماده اصلی سازنده) و پنتو اکسید وانادیم بعنوان آلایش، تهیه و به مدت ۲ ساعت در دمای ۱۰۰۰ درجه سانتیگراد تفت جوشی شد. مطالعه خواص ساختاری آن توسط میکروسکوپ الکترونی و پراش اشعه X انجام شد که در آن، دانه­های رشد یافته اکسید روی بعنوان فاز اصلی مشاهده شدند. با افزایش میزان پنتو اکسید وانادیم در ترکیبات، چگالی نمونه­ها افزایش یافت. همه نمونه­های ساخته شده در محدوده­ای از میدان اعمال شده، رفتار غیر خطی   جریان-ولتاژ از خود نشان دادند. ضریب غیر خطی در این ترکیبات شدیدا به درصد مولی آلایش وابسته بود و ولتاژ آستانه شکست با افزایش میزان آلایش کاهش یافت. رفتار غیر اهمی مشاهده شده با تشکیل سد پتانسیل در مرز بین دانه ها توضیح داده شد.

Zinc Oxide, Varistor, Non-ohmic current – voltage behavior, Electronic ceramics, potential barrier, اکسید روی, وریستور, رفتار جریان-ولتاژ غیرخطی, الکتروسرامیک, سدپتانسیلی