اصغر زارعپور - دانشجوی ارشد مهندسی برق-مدارهای مجتمع الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحدبندرعباس،هرمزگان،ایران
محمدهادی مزیدی - استادیار، گروه برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد قشم،هرمزگان،ایران

مشکلات ناشی از استفاده از ترانزیستورهای ماسفت با اندازه نانو متری در طراحی تقویت کنندههای چند طبقه منجر به نیاز فوری به تکنیک های طراحی جدید برای تولید تقویت کننده هایی با معیارهای با کارایی بالا ، مناسب برای کاربردهای فرکانس بسیار بالا می شود.در این مقاله ساختار یک تقویت کننده سه طبقه با جبران ساز میلر کسکود،به همراه یک ساختار دو مسیره نامتقارن با استفاده از ترانزیستور CMOS ، با طول کانال ۱۸۰ نانومتری طراحی و نتایج آن مورد بررسی قرار گرفته است .با استفاده از این تقویت کننده سه طبقه با توجه به تکنیک گین بوستینگ توانستیم به مداری با توان مصرفی پایین و پهنای باند مناسب دست یابیم .نتایج به دست آمده با شبیه سازی نرم افزار HSPICE نشان می دهد که تقویت کننده طراحی شده توانایی به دست آوردن گین ولتاژDC تا ۱۳۸ دسی بل و پهنای باند ۲۳ مگا هرتز و حاشیه فاز نسبتا مناسب ۸۱ درجه و توان مصرفی ۲۸۳.۰ میلی وات را دارا می باشد.که نسبت به طراحی های مشابه از گین نسبتا بالاتر و پهنای باند مناسب تر برخوردار می باشد.

فرآیندCMOS،تقویت کننده سه مرحله ای،گین بوستینگ ،جبران ساز میلر ،توان مصرفی