بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی

Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 896

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

AIHE06_183

تاریخ نمایه سازی: 31 تیر 1392

Abstract:

در این مقاله با استفاده از تکنیک شبیه سازی مونتکارلو و در نظر گرفتن عوامل مختلف پراکندگی از قبیل فونون اکوستیکی، فونون نوری قطبی و غیر قطبی و ...، خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si مورد مطالعه قرار گرفته است. با در نظر گرفتن یک مدل تک درهای، غیر همسانگردی نیمه هادی و غیر سهموی بودن نوار هدایت تغییرات سرعت سوق در حضور میدانهای الکتریکی مختلف، دماهای مختلف در حالت پایدار و ناپایدار بررسی ده است. با استفاده از نمودارهای زمان ترابرد و سرعت سوق الکترونها برحسب ابعاد افزاره، می توان استفاده از این نیمه هادی در ساخت افزاره های الکترونیکی را بهینه سازی ک رد. همچنین برای اعتبار سنجی مدل ارائه شده، برخی از نتایج حاصل از شبیه سازی مونتکارلو با نرم افزار سیلواکو مقایسه شده است.

Authors

عبدالنبی کوثریان

دانشگاه شهیدچمران اهواز، عضو هیات علمی گروه علمی مهندسی برق ، اهواز

فاطمه حدادیان

دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز

فاطمه روستایی

دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • O. F. Vyvenko, O. Kruger, and M. Kittler, "Cross-sectionl e ...
  • K. Wan, F. Chang, N. Allec, and K. S. Karim, ...
  • W. Martinenssen , and H. Warlimont, "Springer Handbook of Condensed ...
  • _ _ _ _ diodes", WSEAS Trans. on Comm unications, ...
  • K. Tomizawa, "Numerical Simulation of Submicron Semiconductor Device", Artech House, ...
  • C. Jacoboni and . Reggiani, " The Monte Carlo method ...
  • S. M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices, 3nd Edition", Wiley, ...
  • _ Moglestue, "Monte carlo simulation of semicounductor device", Chapman & ...
  • D. Vasileska, S. M. Goodnick and G. Klimeck, Computation- al ...
  • Semiconductor Device Simulation", Wien: Springer- Verlog, 1989. ...
  • نمایش کامل مراجع