عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهیدچمران اهواز، عضو هیات علمی گروه علمی مهندسی برق ، اهواز
فاطمه حدادیان - دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز
فاطمه روستایی - دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز

در این مقاله با استفاده از تکنیک شبیه سازی مونتکارلو و در نظر گرفتن عوامل مختلف پراکندگی از قبیل فونون اکوستیکی، فونون نوری قطبی و غیر قطبی و ...، خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si مورد مطالعه قرار گرفته است. با در نظر گرفتن یک مدل تک درهای، غیر همسانگردی نیمه هادی و غیر سهموی بودن نوار هدایت تغییرات سرعت سوق در حضور میدانهای الکتریکی مختلف، دماهای مختلف در حالت پایدار و ناپایدار بررسی ده است. با استفاده از نمودارهای زمان ترابرد و سرعت سوق الکترونها برحسب ابعاد افزاره، می توان استفاده از این نیمه هادی در ساخت افزاره های الکترونیکی را بهینه سازی ک رد. همچنین برای اعتبار سنجی مدل ارائه شده، برخی از نتایج حاصل از شبیه سازی مونتکارلو با نرم افزار سیلواکو مقایسه شده است.

روش مونت کارلو، پراکنذگی الکترون ها، بالک Si