بررسی وابستگی گاف انرژی به تغییرات طول و عرض در نانونوارهای گرافنی صفر بعدی تکلایه زیگزاگ

Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,056

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

KHIAU01_175

تاریخ نمایه سازی:

Abstract:

نانونوارهای گرافنی برشی از گرافن، با اندازه پهنای متناهی و طول بینهایت، به دلیل حبس الکترون)محدود شدن الکترونها در ابعاد کوچک(ویژگیهای الکترونیکی و نوری منحصر بفردی نسبت به گرافن دو بعدی دارند. در این مقاله، وابستگی گاف و خطوط انرژی در باندهایهدایت و ظرفیت، به تغییرات طول و عرضهای محدود در نانونوارهای گرافنی تکلایه صفربعدی با حاشیه زیگزاگ بررسی میشود. ازساختارباندهای بهدست آمده نشان داده میشود که بندگپ به تغییرات طول بستگی ندارد ولی نسبت به تغییرات پهنا، بستگی معکوس دارد. محاسبات بکار رفته در این مقاله از روش تئوری تابع چگالی (DFT) ، بر اساس تقریب چگالی محلی میباشند

Authors

راضیه عبدشاه

دانشگاه آزاد بوشهر

فرشید عباسی

شرکت پالایش نفت بندرعباس

سکینه حیدری

دانشگاه آزاد بوشهر

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • A.H.Castro Net, F.Guinea, N.M.R.Peres, R.S.Novoselov and ...
  • _ (2011) 1178-1271, 2011. ...
  • A. Leon, Z. Barticevic and M. Pacheco, "Electronic properties of ...
  • Veronica Barone, Oded Hod and Gustavo E.Scuseria, "Electronic and stability ...
  • نمایش کامل مراجع