مدل Spiceممریستور دیاکسید تایتانیوم در مقیاس نانو با کنترل جریان یا ولتاژ وانحراف یون غیرخطی
Publish place: 21th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 864
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_034
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
Abstract:
ممریستور، المان بنیادین چهارمی است که در حدود 40 سال پیش توسط پروفسور لئون چوا بصورت تئوری کشف شد و در کنار سه المان موجود دیگر (مقاومت، خازن و سلف) در دنیای الکترونیک مطرح شده بود اما تا چندی پیش هنوز ساخت یک نمونه فیزیکی از آن به واقعیت نپیوسته بود. تا اینکه سرانجام در سال 2008 شرکتHPممریستوری با ابعاد نانومتری و ساختارTio2 آفریدکه دارای رفتار پیش بینی شده ممریستوری و پدیده هیسترزیس بود. در این مقاله پس از معرفی خصوصیات و ساختار عمومی ممریستور، یک مدلSpice با انحراف یون غیرخطی برای ممریستور دیاکسید تایتانیوم ساخته شده توسط شرکت HP با قابلیت کنترل جریان یا ولتاژ ارائه میگردد. با تنظیم پارامترهای مدل برای مشخصات این ممریستور برخی شبیهسازیهای مداری انجام گردیده و نتایج آن نمایش داده میشوند
Keywords:
ممریستور- انحراف یون غیر خطی- تابع پنجره --Spice
Authors
رضا امیرسلیمانی
دانشگاه شهید بهشتی