بهبودبازده سلول خورشیدی فیلم نازک CIGS توسط افزایش میدان لایه جاذب
Publish place: 21th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 774
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_367
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
Abstract:
دراین مقاله یک راه کارجدید برای افزایش بازده سلول خورشیدی CIGS ارایه شده است تمرکز اصلی این روش برکاهش بازترکیب سلول CIGS درفصل مشترک جاذب /اتصال پشتی می باشد چرا که این ناحیه یکی ازعوامل اصلی تلفات دراین دسته سلولها است دراین روش با اضافه کردن یک لایه P+ به انتهای جاذب یک سد حامل درفصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی ایجاد کرده ایم که سبب ایجاد یک میدان اضافی دراتصال پشتی و درنتیجه رانش آنها به سمت اتصال جلویی سلول می شود همچنین با بررسی عملکرد سلول درضخامتی متفاوت لایه های P,P+ ضخامت بهینه این لایه ها برای دستیابی به بیشترین بازده ارایه گردیده است
Keywords:
سلول فیلم نازک CIGS , اثرلایه P+ برعملکرد سلول CIGS , افزایش بازده سلول CIGS , کاهش بازترکیب اتصال پشتی
Authors
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهیدچمران اهواز