ساخت ترانزیستورهای لایه نازک اکسید روی و بررسی اثر سطح تماس مشترک اتصالات سورس درین و کانال بر عملکرد آن
Publish place: Congress on Electrical, Computer and Information Technology
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,235
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CECIT01_374
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1392
Abstract:
در این مقاله ساخت ترانزیستور های لایه نازک بر پایه اکسید روی را مورد بررسی قرار دادیم و همچنین مشخصه های مهم این افزاره را معرفی و استخراج کردیم. هندسه و ابعاد ترانزیستور بر عملکرد ترانزیستورر تاثیر زیادی دارد. از جمله پارامتر هایی که می تواند بر روی عملکرد ترانزیستورهای لایه نازک موثر باشد سطح تماس مشترک بین اتصالات سورس درین و کانال اکسید روی می - باشد. آزمایش های انجام شده نشان می دهد که با افزایش سطح تماس مقدار جریان روشن ترانزیستور افزایش می یابد
Keywords:
Authors
عباس شیری
آزمایشگاه لایه نازک دانشگاه تهران
فاطمه دهقان نیری
آزمایشگاه لایه نازک دانشگاه تهران
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه لایه نازک دانشگاه تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :