عباس شیری - آزمایشگاه لایه نازک دانشگاه تهران
فاطمه دهقان نیری - آزمایشگاه لایه نازک دانشگاه تهران
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه لایه نازک دانشگاه تهران

در این مقاله ساخت ترانزیستور های لایه نازک بر پایه اکسید روی را مورد بررسی قرار دادیم و همچنین مشخصه های مهم این افزاره را معرفی و استخراج کردیم. هندسه و ابعاد ترانزیستور بر عملکرد ترانزیستورر تاثیر زیادی دارد. از جمله پارامتر هایی که می تواند بر روی عملکرد ترانزیستورهای لایه نازک موثر باشد سطح تماس مشترک بین اتصالات سورس درین و کانال اکسید روی می - باشد. آزمایش های انجام شده نشان می دهد که با افزایش سطح تماس مقدار جریان روشن ترانزیستور افزایش می یابد

اکسید روی، ترانزیستورهای لایه نازک، جریان روشن، سطح تماس مشترک، موبیلیتی اشباع