تارا افرا - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب تهران
مرتضی فتحی پور - دانشگاه تهران
علیرضا مجاب - دانشگاه تهران

ایجادپالس های الکتریکی توان بالا با زمان صعودزیرنانوثانیه ازطریق بکارگیری فرایند یونیزاسیون برخوردی سریع درافزاره چهارلایه نیمه هادی بسته شونده امکان پذیر است فرایند یونیزاسیون برخوردی سریع درساختارهای نیمه ادی سریعترین روش غیرنوری تولید پالسهای سریع نانوثانیه ای و توان بالای محسوب میشود دراین مقاله فرایند تولید پلاسمای الکترون و حفره و مکانیزم یونیزاسیون برخوردی سریع درساختارکلید بسته شونده چهارلایه ای ازجنس نیمه هادی با بسترسیلیسیمی به کمک تحلیلهای عددی بررسی میشود درادامه عوامل تاثیر گذار مانند غلظت ناخالصی تزریق شده دربستر و ضخامت لایه بستر درسرعت کلیدزنی و پیک جریان و پلاسمای الکترون و حفره تولید شده دراین افزاره مورد بحث قرارمیگیرد و راهکاری درجهت بهینه سازی عملکرد کلید بسته شونده نیمه هادی چهارلایه ازجنس سیلیسیم ارایه میگردد.

کلید توان بالا، یونیزاسیون برخوردی سریع