CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS

عنوان مقاله: بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS
شناسه ملی مقاله: EPGC05_019
منتشر شده در پنجمین کنفرانس نیروگاههای برق در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:

عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
فاطمه تحویلزاده - دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی

خلاصه مقاله:
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی میپردازیم. در ابتدا روش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته CIGS عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازک به ازای ،Ga به غلظت CIGS ساختارهای فراپیوند شرح داده میشود. همچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهای برای دستیابی به بیشترین بازده ارائه CIGS پارامترهای سلول ترسیم میشوند و مقدار گاف انرژی سلول Ga مقادیر متفاوت میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان- ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود.

کلمات کلیدی:
.CIGS مدلسازی عددی ساختار فراپیوند، ثابت جذب، چگالی نقص جاذب ،CIGS سلول خورشیدی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/214445/