ضرغام اسدالهی - پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران
پروین بلاش آبادی - پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران
محمدرضا قاسمی - پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران
هوشیار سیدی - پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران

لایه های اکسید آلومینیم در محیط Ar+O2 توسط س یستم کندوپاش مغناط یسی انباشت شده است . دست یابی به لا یه هایی با استوک یومتریAl2O3 به سبب تشک یل یک لا یه اکس یدی رو ی سطح تارگت مشکل می باشد آزمایشات نشان داده است که نسبتO2/Ar+O2 تاثیر زیادی در تشکیل لا یه هایی با استوکیومتری Al2O3 دارد. ایجاد لایه اکسید آلومینیم در شرایط مختلف از جمله تغییر فواصل زیر لایه از تارگت، تغییر دمای زیرلایه و تغییر نسبت گازها ی اکسیژن و آرگون بررسی شد نتایج حاصل ازSEM ،XRD و اندازه گیری مقاومت نمونه های ساخته شده ایجاد تشکیل لایه اکسید آلومینیوم مورد نظر می باشد