غلامرضا امینی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک
مهدی جاوید - دانشجوی کارشناسی مهندسی برق
آرش دقیقی - استادیار،دانشگاه شهرکرد

یک ساختارسیلیکون روی الماس برای بهبود اثرDIBL کاهش سدپتانسیل ناشی ازدرین معرفی شده است نفوذمیدان الکترکیی درعایق ازبین رفتن الماس اثرDIBL را کاهش میدهد درساختارجدید ماده دوم با عایق مضاعف مثل SIO2 روی عایق زیرین اضافه شده است و تا اندازه ای الماس را پوشش میدهد ماده عایق دوم گذردهی الکتریکی پایینی دارد ازاین رو ظرفیت الکتریکی میدان حاشیه ای کوچکتر است نتایج شبیه سازی ترانزیستورسیلیکون درالماس 22 نانومتری بهبود 18درصدی را برای اثرDIBL درمقایسه با ساختارمرسوم سیلیکون روی الماس SOD نشان میدهد افزایش 5درصدی دمای شبکه درساختارجدید نسبت به SOD مرسوم مشاهده شد

کاهش سدپتانسیل ناشی ازدرینDIBL، ترانزیستورسیلیکون روی الماس SOD، میدان الکتریکی نفوذدرین