مصطفی ساجدی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک
راهبه نیارکی اصلی - عضو هیات علمی دانشکده فنی،دانشگاه گیلان

باتوجه به پیشرفت تکنولوژی درمقیاسهای نانو و پایین تر گرایش به ساخت مدارات دراین مقیاس ها افزایش چشمگیری یافته است که نتیجه آن کاهش ولتاژ راه اندازی توان و سطح مصرفی است البته با کاهش مقیاس اثرنویز و خطاها بویژه خطای نرم افزایش می یابد هدف این مقاله ارایه روشهایی برای مقاوم ترکردن یک سلول SRAM باتوان و سطح مصرفی مناسب دربرابر خطای نرم است سلول مبنای ارایه شده یک سلول SRAM 8ترانزیستور است ازراه های بکاررفته دراین مقاله برای افزایش مقاومت سلول دربرابر خطای نرم افزایش ظرفیت خازنی مدار به جهت افزایش قدرتجمع آوری بار و نیز افزایش ثابت زمانی مدار است نتایج شبیه سازی سلول 8ترانزیستوری باروشهای پیشنهادی با استفاده ازنرم افزارHSPICE و مقایسه آن با سلول 6ترانزیستوری استاندارد و سلول 8ترانزیستوری مبنا نشان میدهد باوجود افزایش تعدادترانزیستورودرنتیجه افزایش سطح مصرفی مقاومت سلول دربرابر خطای نرم افزایش می یابد

خطای نرم، DRAM ،SRAM، پایداری سلولSNM