طراحی مدار گیت درایو رزونانسی جدید با قابلیت بازیافت انرژی

Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,408

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE05_071

تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392

Abstract:

دراین مقاله مدارگیت درایو جدیدی معرفی و شبیه سازی می گردد تا بتواند بخشی ازانرژی تلف شده درمبدلها را به منبع بازگرداند این مدار ازیک سلف و چهارسوییچ تشکیل شده است که سلف باعث غیرپیوسته شدن جریان و درنتیجه حذف جریان چرخشی درگیت درایو میشود همچنین به دلیل شارژ و دشارژی خازن ماسفت با جریان تقریبا ثابت سرعت خاموش و روشن شدن بیشتر و درنتیجه تلفات سوییچینگ آن کاهش می یابد سوییچ های درایور طراحی شده تحت شرایط نرم کار می کنند که موجب کاهش تلفات سوییچینگ سوییچ ها میشود انالیز و طراحی این مدار و همچنین شبیه سازی آن دراین مقاله ارایه گردیدها ست که با شبیه سازی درفرکانس یک مگاهرتز و 5ولت بازیافت انرژی حدود 34درصد را به دنبال داشته است

Authors

سیدغیاث الدین طباطبایی پور

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر،دانشگاه صنعتی اصفهان

حسین فرزانه فرد

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اصفهان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Y. Chen, "Resonant Gate Drive Techniques for Power MOSFETs" Master's ...
  • Fred C. Lee and Yuhu Chen, :A Resonant Gate Drive ...
  • K. Xu, Y.F. Liu, P.C. Sen, _ New Resonat Gate ...
  • H _ L .N. Wiegman, "A resonant pulse gate drive ...
  • D _ Maksimovi _ Mos Gate Drive with Resonant Tran ...
  • نمایش کامل مراجع