آرین گودرزی - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
مرتضی عاصمی - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
مجید قناعت شعار - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران

در این مقاله روشی برای بهبود و نیز اثر مگنتواپتیکی کر با استفاده از یک لایه الکترواپتیکی ارائه می شود. ضریب شکست این لایه با اعمال میدان الکتریکی تغییر کرده و به این روش می توان راه نوری لایه را تغییر داد. این ویژگی منجر به کنترل مناسب روی فاز نسبی پرتوهای انعکاسی و در نتیجه کنترل چرخش کر می شود.

مگنتو اپتیک، الکترواپتیک، چرخش کر