CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی تغییرات ضخامت لایه جاذب و شکاف باند در عملکرد سلول خورشیدی CIGS

عنوان مقاله: بررسی تغییرات ضخامت لایه جاذب و شکاف باند در عملکرد سلول خورشیدی CIGS
شناسه ملی مقاله: STSEE01_006
منتشر شده در اولین همایش تخصصی علوم ، فناوری و سامانه های مهندسی برق در سال 1392
مشخصات نویسندگان مقاله:

محدثه موسوی تبار - دانشجووی کارشناسی ارشد گروه علمی مهندسی برق و الکترونیک
احمد عفیفی - گروه مهندسی برق الکترونیک
امیر حسین سالمی - عضو هیات علمی دانشکده فنی مهندسی

خلاصه مقاله:
تکنولوژی سلولهای خورشیدی فیلم نازک بر اساس لایه نشانی روی بسترهای شیشه ای، فلزی یا پلیمری در ضخامت های 3میکرومتر تا 5 میکرومتر می باشد. این سلولها به صورت ورقه های نازک می باشند که روی یک بستر ارزان قیمت ساخته می شوند. سلولهای خورشیدی CIGSیکی از انواع سلولهای خورشیدی فیلم نازک می باشد که در بین این گروه از سلولها از بازده بالاتری برخوردار است. در حال حاضربیشترین بازده به دست آمده برای این سلول 2.03 % می باشد. در این مقاله تغییرات ضخامت لایه جاذبCIGS و تغییرات شکاف باند توسط نرم افزارSILVACO مورد بررسی قرار گرفته و حالت بهینه مورد ارزیابی قرار گرفته است

کلمات کلیدی:
بازده،سلول خورشیدی،فیلم نازک،لایه جاذب

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/221018/