عمید شاکری - دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران
حسین عبدی زاده - دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران، قطب علمی مواد با کارآیی بالا
محمد رضا گل و بستان فرد - دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران

جهت استفاده از سرامیک پیزوالکتریک تیتانات زیرکنات سرب Pb(Zrx,Ti1-x)O3 در صنایع میکروالکترومکانیکی (MEMS) و تجهیزات میکرواپتیکی، نیازمند تولید فیلم هایی با ضخامت بالا (بیش از 10 میکرومتر) می باشد. مشکل عمده در سنتز فیلم های با ضخامت بالا به روش سل– ژل، به وجود آمدن ترک در فیلم است. در این پژوهش تاثیر افزودنی های گلیسیرین، اتانول آمین، متانول و 1-پروپانول در سل پایه اسیدی با غلظت بالا، در جلوگیری از ترک برداشتن فیلم بررسی شده است. سل های بدست آمده با استفاده از روش لایه نشانی چرخشی لایه نشانی شده و در دمای 600 درجه سانتیگراد کلسینه شدند. شناسایی ترک ها با استفاده از میکروسکوپ نوری انجام شد. با توجه به نتایج بدست آمده، فیلم تهیه شده با استفاده از افزودنی 1-پروپانول تا ضخامتی در حدود 33 میکرومتر عاری از ترک بود. بررسی های فازی، ریزساختار همچنین مورفولوژی سطحی این فیلم با استفاده از آزمون پراش پرتو (XRD) X و میکروسکوپ الکترونی روبشی (FESEM) انجام شد که نشان دهنده فیلمی با ساختار غالب تتراگونال پرووسکایت و بدون ترک می باشد. همچنین با بدست آوردن حلقه هسیترزیس فیلم، پلاریزاسیون پسماند و اشباع و کورسیویتی اندازه گیری شد. با توجه به نتایج بدست آمده پلاریزاسیون پسماند 0/8μC/Cm2 محاسبه شد.

پیزوالکتریک، تیتانات زیرکنات سرب PZT، سل-ژل، لایه نشانی چرخشی