مریم مطوس - گروه فیزیک، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی فارس، ایران
سهیلا سعیدی - گروه فیزیک، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی فارس، ایران
محمود براتی - گروه فیزیک، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی فارس، ایران
علیرضا آقاجمالی - باشگاه پژوهشگران جوان، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی فارس، ایران

در این مقاله به کمک روش ماتریس مشخصه به بررسی مدهای نقص به وجود آمده در طیف تراگسیل یک بلورفوتونیک یک بعدی که دارای نقص چاه-کوانتومی فوتونیکی سه لایه ای میباشد می پردازیم. ساختار مورد نظر از لایه هایدیالکتریکی ساخته شده است که ضریب شکست و ضخامت این لایه ها به دما وابسته می باشد. نتایج نشان می دهد کهتعداد مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل بر خلاف حالت دولایه ای رابطه ی مستقیمی با تعداد سلول نقص نداردو علاوه بر آن نتایج نشان میدهد که با فزایش دما مدهای نقص در طول موج های بالاتر پدیدار می شوند بنابراین یکانتقال به قرمز خواهیم داشت. نتایج فوق جداگانه برای دماهای مختلف و برای تعداد سلول های نقص مختلف موردبررسی قرار گرفت. از نتایج بدست آمده میتوان در ساخت فیلترهای باریک حرارتی، فیلترهای چند کاناله و دیگر ادوات اپتیکی و فوتونیکی استفاده کرد.

باند ممنوعه،بلور فوتونیک یک بعدی،درجه حرارت، دیالکتریک، مد نقص