تاثیر شرایط لایه نشانی در نوع رسانش و گاف انرژی سلول های خورشیدی لایه نازک CLGS
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,016
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE03_175
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
Abstract:
نقش شرایط و پارامترهای لایه نشانی به روش کندوپاش در ساخت لایه نازک CLGS به عنوان قطب P سلول های خورشیدی لایه نازک مورد بررسی قرار گرفت.برای لایه نشانی CLG دو هدف Cu-Ga و In مورد استفاده قرار گرفت.در آزمایش اول به منظور تعویض هدف ها درب محفظه 2 ساعت پس از اتمام لایه نشانی هر ماده باز می شد که در این شرایط دمای زیر لایه هنوز 60c بود. اما در آزمایش دوم درب محفظه 12 ساعت پس از اتمام لایه نشانی باز شد که دمای زیر لایه به دمای اتاق رسیده بود و فاصله زیر لایه تا هدف، از4 سانتیمتر به 8 سانتیمتر تغییر یافت.شکل ظاهری نمونه ها و پراش پرتو ایکس XRD نشان دادند که در آزمایش دوم به ساختار مورد نظر دست یافته ایم.
Keywords:
Authors
مهرداد مرادی
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان
سید محمد باقر قرشی
گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
مصطفی زاهدی فر
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان. گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
مهرداد مهرجویی
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :