ندا نیک سرشت - آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL) ، دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شریف
آنا خواجه نژاد - آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL) ، دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شریف
حنیف هادی پور - آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL) ، دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شریف
محمد اخوان - آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL) ، دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شریف

به منظور مطالعه همزیستی فرومغناطیس و ابررسانایی و همچنین خواص الکتریکی و مغناطیسی، ترکیبات x=0,0.05,0.07,0.1 با RuGd1.5Ce0.5-xPrxSr2Cu2O10 های مختلف نشان می دهد . در دماهای بالا سیستم پارامغناطیس x به روش واکنش حالت جامد ساخته شدند . منحنی مقاومت الکتریکی حضور چهار ناحیه را برای است . گذار مغناطیسی از حالت پارامغناطیس به حالت پادفرومغناطیس برای x=0 درحدود Tm=177K رخ می دهد ( که با افزایش Pr کاهش می یابد ). در دماهای . ، به دماهای پایین تر انتقال می یابد x ( با افزایش Tm ( ، گذار مغناطیسی دوم از حالت پادفرومغناطیس به حالت فرومغناطیس مشاهده می شود، که ( مشابه Tirr ( پایین تر مشاهده می شود . در 39K درحدود x=0 برای Tc به دماهای پایین تر انتقال می یابد . بالاترین Pr رخ می دهد که با افزایش آلایش Tc نهایتا گذار ابررسانایی در دمای رخ می دهد که در منحنی مقاومت مشاهده می شود و این امر مربوط به جفت شدگی ضعیف جوزفسون بین دانه ای است که Tp گذار دیگری در Tc دماهای پایینتر از شدیدا تحت تاثیر میدان خارجی می باشد . جهت بررسی اثر میدان مغناطیسی روی خواص ابررسانایی و مغناطیسی این ترکیبات، مقاومت نمونه RuGd1.5Ce0.45Pr0.05Sr2Cu2O10 در حضور میدا نهای مغناطیسی0-1.5T اندازه گیری شد