ترابرد الکترونی در نانوساختارهای مغناطیسی با دو سد پتانسیل و شیر اسپینی

Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,879

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_092

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

Abstract:

در این مقاله با استفاده از فرمولبندی کلدیش، ترابرد الکترون در یک چند لایهای مغناطیسی متشکل از دو سد پتانسیل که در بین آنها ساختار شیر اسپینی قرار گرفته و مجموعه بین دو الکترود فرومغناطیس واقع شده، بررسی شده است . برای این ساختار مقاومت مغناطیسی بر حسب ولتاژ بایاس، محاسبه شده است . نتایج به خوبی نشان میدهد که مقاومت مغناطیسی تونلی در این ساختار به سبب تونل زنی تشدیدی مقدار نسبتاً بزرگی است .

Authors

مرتضی اصلانی نژاد

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، مرکز تحقیقات فیزیک . پلاسما

ابراهیم قنبری عدیوی

گروه فیزیک دانشگاه یزد ، بلوار پژوهش – دانشگاه یزد، یزد

فرامرز کنجوری

گروه فیزیک دانشگاه یزد ، بلوار پژوهش – دانشگاه یزد، یزد