انرژی بستگی ناخالصی در سیم کوانتومی v شکل
Publish place: Iranian Physics Conference 1386
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,361
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_227
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
Abstract:
انرژی بستگی ناخالصی ها در سیم کوانتومی GaAs/Ga1-xAlxAs با استفاده از روش المانهای محدود محاسبه گردیده است . در این مقاله از نظریه تقریب جرم موثر استفاده شده و ارتفاع سد پتانسیل را محدود در نظر گرفته ایم . انرژی بستگی بر حسب موقعیت های مختلف ناخالصی در سیم کوانتومی محاسبه و نتایج با سایر مقادیر نظری مقایسه گردیده است .
Authors
صادق دانا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بهبهان - گروه فیزیک
ابوالحسن نازش
دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران - گروه فیزیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :