محمدحسین توکلی - همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک
عبداله اجاقی - همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک
ابراهیم ممیوند - همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک

تاثیر یک گرم کننده جانبی فعال روی میدان دما در یک بلور sapphire در حال رشد از مذاب، بوسیله حل معادله هدایت گرمایی از طریق محاسبات عددی و برخی ملاحظات تجربی مورد بررسی قرار می گیرد . نشان داده می شود که در سیستم دارای گرم کننده جانبی فعال ( رسانا ) ، تغییرات میدان دما نسبتا خطی بوده و گرادیان محوری دما روی محور تقارن بلور، مقدار نسبتا ثابتی دارد . در این حالت، تنش های گرمائی کمتری در بلور رشد یافته بوجود می آید