بررسی تأثیر گاز هیدروژن در رشدنانولوله های کربنی به روش رسوب شیمیایی بخار

در این تحقیق نانولوله های کربنی با روش شیمیایی بخار در دمای بهینه 650 درجه سانتیگراد و نرخ گاز حامل آرگون sccm 500 به مدت 30 دقیقه در دو حالت وجود و عدم وجود گاز H2 در حین عملیات حرارتی بررسی شد و دیده شد که در حضور گاز هیدروژن در حین عملیات حرارتی، به علت احیای سطح جزایر کاتالیستی و مهیا نمودن آن ها برای رشد، نانولوله های پرچگال رشد می کنند.همچنین با مقایسه طول و چگالی آن ها برای نرخ های sccm 0,100,200 توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی ،مشاهده شد که با افزایش نرخ از 100 به sccm 200 دلیل پوشیده شدن برخی سطوح کاتالیست ها با آمورف کربنی ودر نتیجه غیر شدن آن ها ، چگالی نانولوله ها کاهش می آید؛ همچنین نسبت d/IG در طیف سنجی رامان افزایش می یابد که نشان از افزایش ناخالصی ها ونواقص ساختاری شبکه گرافیتی دارد. پیک مربوط به مد تنفسی شعاعی در طیف رامان نانولوله ها نیز دیده شد که احتمال وجود نانولوله های تک دیواره را در نمونه ی سنتز شده تصدیق می کند.

Keywords:

نانولوله ی کربنی , رسوب شیمیایی بخار , گاز 2 H , نرخ استیلن