بررسی خواص ترانزیستوراثرمیدان نانونوارگرافینی درحضورانحراف لبه های نانونوار
Publish place: 2nd National Conference on Nanoscience Defense Applications
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 648
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_033
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
Abstract:
اخیرااستفاده ازگرافین به علت گیت درترانزیستورهای اثرمیدان بسیارموردتوجه قرارگرفته است این مقاله به بررسی این افزاره ها باوجود ناصافی لبه های نانونوارگرافینی می پردازد برای بدست اوردن خواص افزاره بااستفاده ازتابع گرین غیرتعادلی و درنظرگرفتن اثرسومین همسایه نزدیک به همراه تصحیح تاثیر اولین همسایه نزدیک به سبب انحراف لبه ها نتایج شبیه سازی برای 200نمونه صورت گرفته و متوسط گیری شده ست
Keywords:
Authors
آرش یزدانپناه گوهرریزی
دانشگاه تهران
ابوالفضل چمن مطلق
دانشگاه جامع امام حسین ع
علی میر
دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :