محاسبه بازده سلول سه ساختاری InGaP/GaAs/Ge وارائه روشی جهت افزایش بازده
Publish place: 2nd National Conference on Nanoscience Defense Applications
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 557
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_109
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
Abstract:
هدف این مقاله ارایه روشی جهت بهبود بازده درسلول های خورشیدی بانیمه هادی های گروه III-V بااستفاده ازنانوساختارهاست محدوده بازده سلول خورشیدی سه ساختاری InGaP/GaAs/Ge رابدست اوردیم باتوجه به شکل باشکاف باندهای InGaP درمقدار 1.89ev وشکاف باند GaAs درکاهش 1.42Ev,Ge درمقدار 0.67ev بازده 33.5%بدست امده است سپس با ثابت نگهداشتن شکاف باندسلولهای فوقانی و زیرین وکاهش شکاف باندسلول GaAs نشان داده ایم که بازده به ماکزیمم مقدار خود 47.5درصد می رسد این کاربا افزودن ساختارهای نانوافزودن چاه های کوانتومی InAs درماده بالک انجام میگیرد بطوریکه GaAsتبدیل به یک سلول خورشیدی باندمیانی با شکاف باندمطلوب خواهد شد دراین مقاله سعی براین شد که باانجام محاسبات و شبیه سازی آنها درنرم فزار matlab و استفاده ازروش Kronig-Penny پهناهای بهینه چاه و سدبرای ایجادباندهای میانی مناسب را بدست اوردیم بااجرای شبیه سازی نتیجه شد که پهنای مناسب چاه 6nm وپهنای مناسب سدبرابر 7nm می باشد
Keywords:
Authors
غزاله حمزیی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
حمیدرضا حسینی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :