بررسی تاثیرضخامت برویژگیهای نوری لایه های نازک ZnSe تهیه شده باروش PVD
Publish place: 2nd National Conference on Nanoscience Defense Applications
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 798
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_170
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
Abstract:
دراین پژوهش لایه های نازک نانومتری سلناید رویZnSe) باروش تبخیرگرمایی درخلابا ضخامت های 50و65و100nm بروی بستره شیشه و دمای زیرلایه ی 300درجه سانتیگراد تهیه شد گرته ی پراش پرتوی xنشان داد که لایه ها امورف هستند انرژی گاف نواری نمونه ها محاسبه و دوگذارمستقیم مشاهده شد که احتمالا حاصل ازشکافتگی اسپین - مداردرنوارظرفیت می باشد نتایج نشان داد که پهنای گاف باافزایش ضخامت لایه ها به سمت گاف نواری حالت حجیم سلناید روی نزدیک میشود قسمت حقیقی ضریب شکست نمونه ها نیز محاسبه گردید
Keywords:
Authors
فاطمه اشرفی
دانشگاه اصفهان
سیدمحمدحسن فیض
دانشگاه اصفهان
حمیدرضا فلاح
دانشگاه اصفهان
محمدحسن یوسفی
دانشگاه صنعتی مالک اشتراصفهان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :