فاطمه اشرفی - دانشگاه اصفهان
سیدمحمدحسن فیض - دانشگاه اصفهان
حمیدرضا فلاح - دانشگاه اصفهان
محمدحسن یوسفی - دانشگاه صنعتی مالک اشتراصفهان

دراین پژوهش لایه های نازک نانومتری سلناید رویZnSe) باروش تبخیرگرمایی درخلابا ضخامت های 50و65و100nm بروی بستره شیشه و دمای زیرلایه ی 300درجه سانتیگراد تهیه شد گرته ی پراش پرتوی xنشان داد که لایه ها امورف هستند انرژی گاف نواری نمونه ها محاسبه و دوگذارمستقیم مشاهده شد که احتمالا حاصل ازشکافتگی اسپین - مداردرنوارظرفیت می باشد نتایج نشان داد که پهنای گاف باافزایش ضخامت لایه ها به سمت گاف نواری حالت حجیم سلناید روی نزدیک میشود قسمت حقیقی ضریب شکست نمونه ها نیز محاسبه گردید

لایه های نازکZnSe)، اثرضخامت لایه، گاف نواری شکافتگی اسپین - مدار، ضریب شکست