بررسی خواص الکترونی گرافن آلاییده شده با Ge مبتنی برنظریه تابعی چگالی
Publish place: 2nd National Conference on Nanoscience Defense Applications
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 590
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_194
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
Abstract:
برای مطالعه ساختارنوایر و چگالی حالت های الکترونی یک صفحه تخت گرافن الاییده شده بااتمهای ژرمانیوم ازروش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW برپایه نظریه تابعی چگالی dft برای همه الکترون ها استفاده کرده ایم محاسبات بااستفاده ازسه تقریب مختلف برای پتانسیل تبادلی همبستگی انجام شده است محاسبات ما نشان میدهد که بالاترین نوارظرفیت و پایین ترین نواررسانش باروش الایش به صورت جانشانی ازهم باز میشوند به ازای سه تابعی EV-GGA,GGA,LDA به ترتیب سه مقدار 0/175و0/183و0/2 الکترون ولت برای گاف تولید شده بدست امد این نتیجه نویدبخش گذارفاز گرافن خالص ازحالت یک نیمه رسانا باگاف صفربه حالت یک نیمه رسانا باگاف غیرصفرمیباشد که این میتواند برای صنعت ساخت قطعات نانوالکترونیک مفید باشد
Authors
برومند نوری
دانشگاه اصفهان
نسترن رضائی
دانشگاه اصفهان
محمد بیات بیاتانی
دانشگاه اصفهان
سعید جلالی اسدآبادی
دانشگاه اصفهان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :