افزایش حساسیت جریان در سنسور اثر هال با افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها

Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,227

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

BSNANO03_150

تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392

Abstract:

موبیلیته در نیمه هادی گالیم آرسناید با ناخالصی زیاد، اغلب توسط پراش ناخالصی محدود می شود که این امر به غلظت کلی ناخالصی، بستگی دارد. اثر هال یکی از خواص فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی ، هنگامی که تحت تأثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند ، به وجود می آید . هدف از این مقاله بررسی اثر هال در یک نیمه هادی گالیم آرسناید که توسط روش رشد رونشستی پرتو مولکولی ایجاد شده است، می باشد. با توجه به مقادیر محاسبه شده، ملاحظه می شود که افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها باعث افزایش حساسیت جریانی و ولتاژی می گردد. نکته ای که جا دارد به آن اشاره شود این است که موبیلیته حفره و غلظتهای بدست آمده در اینجا، موبیلیته و غلظتهای محاسبه شده و اندازه گیری شده توسط اثر هال هستند که رایج ترین و متداولترین تکنیک اندازه گیری می باشد

Authors

حجت حمیدی

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :