حجت حمیدی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

موبیلیته در نیمه هادی گالیم آرسناید با ناخالصی زیاد، اغلب توسط پراش ناخالصی محدود می شود که این امر به غلظت کلی ناخالصی، بستگی دارد. اثر هال یکی از خواص فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی ، هنگامی که تحت تأثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند ، به وجود می آید . هدف از این مقاله بررسی اثر هال در یک نیمه هادی گالیم آرسناید که توسط روش رشد رونشستی پرتو مولکولی ایجاد شده است، می باشد. با توجه به مقادیر محاسبه شده، ملاحظه می شود که افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها باعث افزایش حساسیت جریانی و ولتاژی می گردد. نکته ای که جا دارد به آن اشاره شود این است که موبیلیته حفره و غلظتهای بدست آمده در اینجا، موبیلیته و غلظتهای محاسبه شده و اندازه گیری شده توسط اثر هال هستند که رایج ترین و متداولترین تکنیک اندازه گیری می باشد

موبیلیته، غلظت، گالیم آرسناید ، رونشستی پرتو مولکولی ، اثر هال