ساخت وبهینه سایز پالایه ی نوار گذر باریک فلز - دی الکتریک در طول مج 808 نانومتر به روش ضخامت سنجی اپتیکی
عنوان مقاله: ساخت وبهینه سایز پالایه ی نوار گذر باریک فلز - دی الکتریک در طول مج 808 نانومتر به روش ضخامت سنجی اپتیکی
شناسه ملی مقاله: NANOSC02_244
منتشر شده در دومین همایش دانشجویی فناوری نانو در سال 1386
شناسه ملی مقاله: NANOSC02_244
منتشر شده در دومین همایش دانشجویی فناوری نانو در سال 1386
مشخصات نویسندگان مقاله:
حسین زابلیان - دانشگاه اصفهان، دانشکده فیزیک
حمیدرضا فلاح - دانشگاه اصفهان، دانشکده فیزیک
سیدحسن روضاتیان امیر - دانشگاه اصفهان، دانشکده فیزیک
حمیدرضا رهنما - شرکت صنایع اپتیک اصفهان
خلاصه مقاله:
حسین زابلیان - دانشگاه اصفهان، دانشکده فیزیک
حمیدرضا فلاح - دانشگاه اصفهان، دانشکده فیزیک
سیدحسن روضاتیان امیر - دانشگاه اصفهان، دانشکده فیزیک
حمیدرضا رهنما - شرکت صنایع اپتیک اصفهان
با در نظر گرفتن نظریه ی پالایه های تراگسیل القایی برای پوششهای فلز – دی الکتریک، می توانبه یک قله ی تراگسیل بسیار بلنمد در یک تک طول موج دست یافت. در اینمقاله با استفاده از رهیافت فوق و با استفاده از موادجدید، ابتدا تک لایه های چارک موجی تمام دی الکتریک در طول 808 نانومتر طراحی و ساخته شدند.پس از بهینه سازی شرایط انباشت و محاسبه ی تعداد لایه ها و ضخامت لایه ی جور کننده، مجموعه ی برایند طراحی شد. سرانجام با بهینه سازی اپتیکی ضخامت لایه ها، پالایه ی نوار گذر باریک با پهنای عبور 44 نانومتر قله ی تراگسیل حدود 85% با باند قطع وسیع ساخته شد.
کلمات کلیدی: پالایه نوار گذر ، تراگسیل القایی ، ضخامت سنجی اپتیکی ، لایه ی جور کننده
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/23001/