اثر pH و ترکیب مخلوط اسید سولفوریک - اکسالیک بر شکل گیری آرایه منظم حفره ها در آلومینا

Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,410

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NANOSC02_293

تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385

Abstract:

با روش آندایز توسط مخلوط اسید سولفوریک - اکسالیک، در ولتاژ بین 25 تا 40 ولت، می توان آرایه ای منظم از نانوحفره ها داشت . در هر ولتاژو pH ثابت از دو نوع الکترولیت با غلظت اسید سولفوریک متفاوت استفاده شده و تاثیر آن بر آرایش و نظم حفره ها با تبدیل فوریه از تصاویر AFM و SEM ، بررسی شده است . نتایج نشان می دهد که در ترکیب دارای غلظت بالاتر اسید سولفوریک، نظم بلند برد و در غلظت کمتر آرایش زیباتر حفره ها چشمگیر است . فاصله بین حفره ای در ترکیب مخلوط اسید سولفوریک - اکسالیک در غلظت کمتر ، بیشتر و تقریبا برابر nmV -1 2.6 و nmV -1 2.5 برای غلظت بالاتر است . چگالی سطحی حفره ها در 40 ولت با الکترولیت اکسالیک و در 25 ولت با سولفوریک حدود % 10 است در حالیکه برای ترکیب این دو اسید، این مقدار تا حدود % 50 در ولتاژ 37.5 افزایش می یابد .

Keywords:

آلومینا , آ ندایز , مخلوط اسید اکسالیک - سولفوریک , .pH

Authors

محمد الماسی کاشی

پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، ایران

عبدالعلی رمضانی

پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، ایران

مونس رحماندوست

پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Masuda H, Satoh M 1996 Jpn. J. Appl. Phys. 35 ...
  • Liang J, Chik H, Yin A, Xu J M 2002 ...
  • Masuda H, Ohya M, Asoh H, Nakao M, Nohtomi M, ...
  • Mikulskas I, Juodkazis S, Tomaxiunas R, Dumas J G 2001 ...
  • Wehrspohn R B, Schilling J 2001 MRS Bull. 623 ...
  • Masuda H, Ohya M, Asoh H, Nishio K 2001 Jpn. ...
  • Nielsch K, Wehrespohn R B, Barthel J, Kirschner J, Gosele ...
  • Fisher S F, Kronmuller H 2001 Appl. Phys. Lett. 79 ...
  • Nielsch K, Hertel R, Wehrspohn R B, Barthel J, Kirschner ...
  • Menon L, B andyopadhyay S, Liu Y, Zeng H, Sellmyer ...
  • Zhu H, Yang S, Ni G, Yu D, Du Y ...
  • Masuda H and Fukuda K 1995 Science 268 1466 ...
  • Masuda H, Hasegawa F and Ono S 1997 J. Electroch ...
  • Jessensky O, Muller F and Gosele U 1998 Appl. Phys. ...
  • Li A P, Muller F, Birner A, Nielsch K and ...
  • Masuda H, Yada K and Osaka A 1998 Jpn. J. ...
  • Nielsch K, Choi J, Schwirm K, Wehrspohn R B and ...
  • Ono S, Saito M and Asoh H 2004 Electrochem. Solid-State ...
  • Lee W, Ji R, Gosele U AND Nielsch K 2006 ...
  • Li Y, Zheng M, Ma L and Shen W 2006 ...
  • Chu S Z, Wada K, Inoue S, Isogai M, Katsuta ...
  • Shingubara S, Morimoto K, Sakaue H and Takahagi T 2004 ...
  • Nielsch K, Choi J, Schwirn K, Wehrspohn R B and ...
  • Metzger R M, Konovalo V V, Sun M, Xu T, ...
  • Shingubara S, Okino O, Sayama Y, Sakaue H and Takahagi ...
  • نمایش کامل مراجع