سیمین سلیمان منش - دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین
محمد یاوری - دانشگاه امیرکبیر(پلی تکنیک تهران

در این مقاله طرح یک مدار جدید مرجع ولتاژ( بند گپ) با قابلیت ایجاد مرجع ولتاژ 0/48ولت به منظورو مقاومت برای ایجاد یک CMOS تحصیح وجبران سازی رفتار غیر خطی ولتاژ بیس-امیتر با استفاده ترانزیستورهایمرجع ولتاژ دقیق ارائه شده است. این امر منجر به بهبود دقت مرجع ولتاژ و همچنین کاهش توان مصرفی شده است. درطرح مدار پیشنهادی که با استفاده ازیک تقویت کننده تفاضلی برای رسیدن به حداقل آفست با ولتاژ تغذیه یک ولت و همچنین ترانزیستورهایMOSکه در ناحیه وارونگی ضعیف بایاس شده اند، استفاده شده است. مدارارائه شده درتکنولوژی 90 نانومترCMOSپیادهسازی شدهو بانرمافزارHSPICEشبیهسازی شدهاست. تمام شبیهسازیها با در گرفتن تغییرات دمایی بین 40-تا 85 درجه سانتیگرادپرداخته شده و نتایجی با تغییراتی کمتر ازPSRR 20ppm/c 40dB بدست امده است

مراجع ولتاژBandgap/تقویت کننده های عملیاتی، تکنولوژیهای نانومترCMOS