مدلسازی تداخل الکترومغناطیسی هدایتی در یک مبدل سوئیچینگ پوش پول با گذار نرم ولتاژ
Publish place: 2nd Conference on Innovation in Electrical Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,103
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE02_339
تاریخ نمایه سازی: 29 بهمن 1392
Abstract:
منابع تغذیه سوئیچینگ برای سایر سیستمهای الکترونیکی، منبع نویز به شمار می آیند. به طور معمول منابع تغذیه سوئیچینگ نرم از المان های بیشتری نسبت به منابع سوئیچینگ سخت برخوردار است. به دلیل افزایش المان های پارازیتی در سوئیچینگ نرم ارزیابی کاهش EMI غیرقابل پیش بینی است، به همین دلیل باید EMI در منابع سوئیچینگ نرم مورد ارزیابی قرار گیرد. در این مقاله یک مبدل پوش پول کلمپ اکتیو که با -روش رزونانس برای حل مشکل بازیافت معکوس دیود به سوئیچینگ نرم تبدیل شده است با در نظر گرفتن خازن های گرما گیر در مدار، از دید تداخل الکترومناطیسی) EMI ( بررسی شده است. همچنین برای مقایسه سطح EMI این مبدل با مبدل سوئیچینگ سخت، EMI یک مبدل پوش پول سوئیچینگ سخت نیز شبیه سازی شده است. مبدل سوئیچینگ سخت با توپولوژی پوش پول از دید EMI مدل سازی شده است.
Keywords:
Authors
جلیل جلیلی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
محمدروح اله یزدانی
استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان،
سعید حسین نیا
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :