مطالعه اثر بخار متانول بر خواص الکترونی سطح سیلیکن متخلخل

Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,458

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IPC85_036

تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385

Abstract:

در این مطالعه، سیلیکن متخلخل بر روی پایه سیلیکن نوع p ساخته شد و سطح توسط میکروسکوپ نیرو اتمی مشاهده گردید . این مشاهدات حاکی از آن است که بر روی سطح، دیواره هایی از سیلیکن به قطر 20 تا 30 نانومتر بر جای مانده و حفره هایی به قطر تقریبی 20 نانومتر به وجود آمده اند . رسانایی الکتریکی نمونه ها در برابر چند درصد متانول به اندازه ی چند مرتبه بزرگی تغییر می کند و نتایج طیف سنجی تونلی - روبشی از نمونه ها نشان می دهد که حضور متانول موجب افزایش بسیاری در چگالی حالتهای الکترونی به خصوص در شکاف انرژی می شود . علاوه بر این حضور نور و نور به همراه متانول نیز به طور مؤثری جریان تونلی را افزایش می دهد

Authors

فرشته رحیمی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

فاطمه آستارائی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

اعظم ایرجی زاد

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

مصطفی معتمدی فر

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • A. Iraji zad, F. Rahimi, M. Chavoshi, M.M. Ahadian, Cha ...
  • J.A. S trosc io , R. M.Feenstra, in : J.A.Stroscio, ...
  • J.A.Stroscio, R.M.Feenstra, A.P.Fein, ' Electronic structure of the Si(111)2x1 surface ...
  • R. Herino, Pore size distributior in porous silicon, in Properties ...
  • M. Niwa, H. Iwasaki, Sh. Hasegawa, Hydrogen terrminated Si(1 0 ...
  • L.D. Bell, W.J. Kaiser, M.H. Hecht, F.J. Grunthaner, Direct control ...
  • _ M.B. Johnson, J.-M. Halbout, ? Scanning tunneling microscopy and ...
  • J. Jahanmir, P _ E. West, A.Young, Current- voltage chara ...
  • C .Delerue, M .Lannoo , G.Allan, E.Martin, ،.Theorotical descriptions of ...
  • G.B. Amisola, et al. _، ، Scanning tunneling microscopy of ...
  • R. M. Feenstra, J. A. Stroscio, Tunneling spectroscopy of the ...
  • نمایش کامل مراجع