اثر ساختار ریز بر طیف گسیل خودبخودی وجذب - پاشندگی اتم چهار ترازی در بلور فوتونیک

در اینمقاله اثر ساختار ریز تراز پایه، بر طیف گسیل خودبخودی و جذب – پاشندگی اتم چهار ترازی واقع در بلور فوتونیک مطالعه می شود. در مدل بکار رفته فرض بر این است که گذار از تراز بالایی اتم به یکی از ترازهای پایینی که حاوی ساختار ریز است در نزدیکی لبه گاف باند فوتونیکی صورت می گیرد و گذار از تراز بالایی به تراز پایینی دیگر که طیف گسیل خودبخودی و همچنین جذب و پاشندگی در آن مد نظر است در فضای آزاد رخ می دهد. نشان داده می شود که با تنظیم فاصله ترازهای ساختار ریز، می توان طیف گسیل خودبخودی ، و همچنین طیف جذب و پاشندگی باریکه کاوشگر را کنترل کرد.